MOSFET：全稱Metal-Oxide Field-Effect Transistor金屬氧化物半導體場效應管，先解釋一下MOSFET的各個字母的意義：M: Metal 金屬；O: Oxide 氧化物；S: Semiconductor 半導體；F: Field 場；E: Effect 效應；T: Transistor 晶體管

它是LED+MOSFET芯片=繼電器功能，實現(xiàn)繼電器功能的。

光耦MOSFET是一種全固態(tài)繼電器，由輸入側的發(fā)光二極管（LED）和觸點的MOSFET組成。因此，通常將其稱為SSR（固態(tài)繼電器）。與傳統(tǒng)的機械繼電器相比，光耦合MOSFET不僅體積更小，重量更輕，而且更易于驅動和實現(xiàn)更高的速度。而且它也幾乎不會產(chǎn)生噪音。這些功能使其成為理想的繼電器。結構和特征描述如下。

如圖所示，光耦合MOSFET由輸入側的發(fā)光二極管（LED），面向LED的光電二極管（PVD）和用作觸點的MOSFET組成。如圖所示，光耦合MOSFET由輸入側的發(fā)光二極管（LED），面向LED的光電二極管（PVD）和用作觸點的MOSFET組成。

當正向電流流過時，輸入發(fā)光二極管（LED）發(fā)出紅外光。當此光照射在光電二極管（PVD）上時，PVD中會產(chǎn)生電壓。

當此電壓施加到MOSFET的柵極時，MOSFET會打開和關閉漏極電流。

有兩個MOSFET反向串聯(lián)連接，因此它們也可以切換交流電。

此外，由于存在兩種類型的MOSFET，即常關型（增強型）和常導通型（耗盡型），因此可以通過使用將其設為正門極電壓，并通過提供負門極電壓的連接使其成為B觸點（斷路觸點）型繼電器。

此外，我們的光耦合MOSFET內部具有原始的驅動控制器。當LED停止發(fā)光時，控制器會加速MOSFET柵極的放電。

從而實現(xiàn)平滑的高速切換操作。

由于這種結構，輸入和輸出完全電絕緣，而輸出側觸點在正向和反向都實現(xiàn)了具有良好線性度和高截止特性的導電性。

此外，如下圖所示，在我們的光耦合MOSFET中，輸入LED和輸出側的PVD用具有高透明度的高度絕緣樹脂彼此絕緣，并且外部還被黑色覆蓋。深色的深色樹脂。

機械繼電器中不存在的超小型產(chǎn)品，例如小外形封裝（SOP）和超小型扁平引線型光耦合MOSFET，正在陸續(xù)開發(fā)中，非常適合需要高端產(chǎn)品的設備。可放置在體積小，重量輕的筆記本電腦，移動信息終端和各種適配器卡等需要高密度安裝的半導體測試設備上。