半導(dǎo)體設(shè)備由于使用的頻率較高，并要求有一定的線(xiàn)性度，在使用機(jī)械式繼電器的時(shí)候容易受壽命的影響，同時(shí)由于晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器的輸出側(cè)單元所具線(xiàn)性度較低，所以在輸出之間通過(guò)的信號(hào)會(huì)發(fā)生失真；

MOS FET繼電器與晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器不同，可通過(guò)與機(jī)械式繼電器相匹配的超群線(xiàn)性度特性，有效抑制信號(hào)的失真；可控制模擬信號(hào)，所以最適用于測(cè)試器、測(cè)量設(shè)備等，因此，MOS FET繼電器可以完美的配合機(jī)械式繼電器使用，也可以替代傳統(tǒng)的光耦和可控硅產(chǎn)品；     

MOS FET繼電器，輸出切換電流不會(huì)受到輸入電流的影響；

MOS FET繼電器通過(guò)極小電流即可運(yùn)行，可為設(shè)備的節(jié)電作貢獻(xiàn)，在達(dá)到使用壽命后，輸出電流不會(huì)像晶體管耦合器那樣下降，穩(wěn)定的低電流有助于節(jié)能；

晶體管耦合器在增大輸入側(cè)電流時(shí)，輸出側(cè)電流也會(huì)變大，所以與MOS FET繼電器相比，會(huì)消耗更多的電力。LED老化會(huì)使輸出也跟隨減弱，由此需要更多的電力；

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