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G3VM-61B1/E1 MOS FET繼電器

G3VM-61B1/E1 MOS FET繼電器

產(chǎn)品分類:MOS FET繼電器
產(chǎn)品說(shuō)明:G3VM-61B1/E1 MOS FET繼電器 最適合應(yīng)用于模擬信號(hào)開(kāi)關(guān)的MOS FET繼電器,可對(duì)應(yīng)AC2.5KV的輸入輸出間耐壓和開(kāi)閉大電流場(chǎng)合 ? G3VM-61B/E 系列的升級(jí)。 ? 可用于微笑模擬信號(hào)的開(kāi)關(guān)。 ? 輸出繼電器開(kāi)路時(shí)漏電流在1μA 以下。
  • 種類
  • 額定/性能
  • 外形尺寸
  • 注意事項(xiàng)

 種類

形狀 接點(diǎn)結(jié)構(gòu) 端子種類 負(fù)載電壓(最大)* 型號(hào) 每桿裝數(shù)量 每卷裝數(shù)量
DIP6 1a 印刷基板用端子 60V G3VM-61B1 50
表面安裝端子 G3VM-61E1
G3VM-61E1(TR) 1,500

*負(fù)載電壓(最大):表示峰值A(chǔ)C、DC。

絕對(duì)最大額定(Ta??25

項(xiàng)目 符號(hào) 額定 單位 條件
輸入側(cè) LED正向電流 IF 50 mA  
反復(fù)峰值LED正向電流 IFP 1 A 100μs脈沖、100pps
直流正向電流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向電流 VR 5 V  
粘合部位溫度 TJ 125  
輸出側(cè) 輸出耐壓 VOFF 60 V  
連續(xù)負(fù)載電流 A連接 IO 500 A A連接:峰值A(chǔ)C/DC
B、C連接:DC
B連接 500
C連接 1000
導(dǎo)通電流降低比率 A連接 △IO/℃ -5 mA/℃ Ta≧25℃
B連接 -5
C連接 -10
脈沖導(dǎo)通電流 Iop 1.5 A t=100ms、Duty=1/10
粘合部位溫度 TJ 125  
輸入輸出間耐壓(注1) VI-O 2500 Vrms AC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度 Ta -40~+85 無(wú)結(jié)冰、無(wú)冷凝
貯藏溫度 Tstg -55~+125 無(wú)結(jié)冰、無(wú)冷凝
焊接溫度條件 260 10s
(注1):測(cè)量輸入輸出間的耐壓時(shí),分別對(duì)LED針腳、受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。

電氣性能(Ta?25

項(xiàng)目 符號(hào) 最小 標(biāo)準(zhǔn) 最大 單位 條件
輸入側(cè) LED正向電流 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向電流 IR 10 μA VR=5V
端子間電容 CT 30 pF V=0、f=1MHz
觸發(fā)LED反向電壓 IFT 1.6 3 mA IO=500mA
復(fù)位LED反向電壓 IFC 0.1 mA IOFF=100μA
輸出側(cè) 最大輸出導(dǎo)通電阻 A連接 RON 1 2 Ω IF=5mA、Io=500mA
B連接 0.5 1 Ω IF=5mA、Io=500mA
C連接 0.25 Ω IF=5mA、Io=500mA
開(kāi)路時(shí)漏電流 ILEAK 1.0 μA VOFF=60V
端子間電容 COFF 130 pF V=0、f=1MHz
輸入輸出間電容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
輸入輸出間電容絕緣電阻 RI-O 1000 108 VI-O=500VDC、ROH≦60%
動(dòng)作時(shí)間 tON 0.8 2.0 ms IF=5mA?RL=200Ω、VDD=20V(注2)
復(fù)位時(shí)間 tOFF 0.1 0.5 ms
(注2):?動(dòng)作·?復(fù)位時(shí)間
(単位:mm)
G3VM-61B1
形G3VM-601BY:外形1
重量:0.4g
注. 標(biāo)記內(nèi)容與實(shí)際商品有所不同
G3VM-61E1
形G3VM-601EY:外形1
重量:0.4g
注. 標(biāo)記內(nèi)容與實(shí)際商品有所不同
印刷基板加工尺寸(BOTTOM VIEW)
形G3VM-601BY:外形2
實(shí)際焊盤(pán)尺寸(推薦值)(TOP VIEW)
形G3VM-601EY:外形2

端子配置/內(nèi)部接線圖

注. 產(chǎn)品的型號(hào)中沒(méi)有標(biāo)明:G3VM